ANNOUCIMENT: مرحبا بكم في زيارة موقعنا الإلكتروني، أي استفسار، يرجى التحقق من الاتصال بنا. أعمال الدفع ذات الصلة، يرجى تأكيد مع بائعنا، أتمنى لك رحلة زيارة لطيفة.
العربية  |
صفة مميزة
فوسفيد إنديوم (INP) هو أشباه الموصلات الثنائية تتألف من الإنديوم والفوسفور. إنه يحتوي على هيكل كريستال مكعب تركز على الوجه (\"Zincblende \")، مما يطابق له في GAAS ومعظم أشباه الموصلات III-V.
الصيغة الكيميائية: INP
الكتلة المولية: 145.792 جم / مول
المظهر: بلورات سوداء مكعبة
الكثافة: 4.81 جم / سم3، صلب
انصهار نقطة: 1،062 درجة مئوية (1،944 درجة فهرنهايت؛ 1،335 ك)
الذوبان: قابل للذوبان قليلا في الأحماض [1]
فجوة الفرقة: 1.344 EV (300 K؛ مباشرة)
التنقل الإلكتروني: 5400 سم 2 / (V · S) (300 ك)
الموصلية الحرارية: 0.68 واط / (CM · K) (300 ك)
مؤشر الانكسار (ND): 3.1 (الأشعة تحت الحمراء)؛
3.55 (632.8 نانومتر)
هيكل الكريستال: Blende الزنك
تطبيق
يستخدم Inp في إلكترونيات عالية الطاقة والترددات عالية التردد بسبب سرعة الإلكترون المتفوقة فيما يتعلق بأشكالش أشباه الموصلات الأكثر شيوعا والسيليكون Arsenide.
تم استخدامه مع Arsenide Indium Gallium Arsenide لإجراء قياسي كسر الترانزستور Bipolar BiPolar القطبي الذي يمكن أن يعمل بسرعة 604 جيجا هرتز.
يحتوي أيضا على Bandgap مباشرة، مما يجعلها مفيدة للأجهزة الإلكترونيات الضوئية مثل الثنائيات الليزرية.
يستخدم INP أيضا كركيزة لأجهزة البصريات الإلكترونية الإلكترونية الإنديوم النهرية Epitaxial.
صفة مميزة
فوسفيد إنديوم (INP) هو أشباه الموصلات الثنائية تتألف من الإنديوم والفوسفور. إنه يحتوي على هيكل كريستال مكعب تركز على الوجه (\"Zincblende \")، مما يطابق له في GAAS ومعظم أشباه الموصلات III-V.
الصيغة الكيميائية: INP
الكتلة المولية: 145.792 جم / مول
المظهر: بلورات سوداء مكعبة
الكثافة: 4.81 جم / سم3، صلب
انصهار نقطة: 1،062 درجة مئوية (1،944 درجة فهرنهايت؛ 1،335 ك)
الذوبان: قابل للذوبان قليلا في الأحماض [1]
فجوة الفرقة: 1.344 EV (300 K؛ مباشرة)
التنقل الإلكتروني: 5400 سم 2 / (V · S) (300 ك)
الموصلية الحرارية: 0.68 واط / (CM · K) (300 ك)
مؤشر الانكسار (ND): 3.1 (الأشعة تحت الحمراء)؛
3.55 (632.8 نانومتر)
هيكل الكريستال: Blende الزنك
تطبيق
يستخدم Inp في إلكترونيات عالية الطاقة والترددات عالية التردد بسبب سرعة الإلكترون المتفوقة فيما يتعلق بأشكالش أشباه الموصلات الأكثر شيوعا والسيليكون Arsenide.
تم استخدامه مع Arsenide Indium Gallium Arsenide لإجراء قياسي كسر الترانزستور Bipolar BiPolar القطبي الذي يمكن أن يعمل بسرعة 604 جيجا هرتز.
يحتوي أيضا على Bandgap مباشرة، مما يجعلها مفيدة للأجهزة الإلكترونيات الضوئية مثل الثنائيات الليزرية.
يستخدم INP أيضا كركيزة لأجهزة البصريات الإلكترونية الإلكترونية الإنديوم النهرية Epitaxial.
