البحث والتطوير

أنت هنا: الصفحة الرئيسية » البحث و التنمية

البحث و التنمية

كلسنة، نستثمر كمية كبيرة كأموال البحث والتطوير. نأخذ دائما البحث والتطوير منتجات جديدة والتقنيات الجديدة كأولوية قصوى لعملية شركتنا.Oقام مهندسون البحث والتطوير بإتقان الكثير من المهارات والخبرةsونحن نقدم خدمات الإنتاج الخاصة ب R & D هذه للعملاء.

TI3SIC2 هدف تلبد

TI3SIC2 هو الكريستال السادس، الذي يتكون من طبقة SI مستوية متصلة من TI C Octahedron لتشكيل هيكل الطبقات.
يحتوي Ti3sic2 مثل المعدن على موصل حراري ممتاز، وسهل معالجة، نسبيا \"لينة \"، غير حساس للصدمة الحرارية، مثل السيراميك مع مقاومة الأكسدة الجيدة، والأهم لا يزال يحافظ على قوة عالية في درجة حرارة عالية. تدمج TI3SIC2 خصائص السيراميك والمعادن والمعادن المرنة عالية، ونقطة الانصهار العالية واستقرار درجة الحرارة العالية تعكس خصائص سيراميك مماثلة؛

حرف:

الكثافة: 4.64g / cm2،
المقاوم: ~ 10ω
لا يوجد اختلاف اللون، لا البقع.

استعلام

مسحوق ZRS2، 99.9٪، -100mesh

يضخم الزركونيوم Disulfide (ZRS2) هيكل الطبقات وينتمي إلى مجموعة Dichalcogenides IV IV IV (TMDCS). ZRS2 مستقرة من الديناميكا الحرارية، صديقة للبيئة مع حساسية عالية، وإنتاج منخفض التكلفة. عرضت أحادي الأطفال ZRS2 خصائص النقل N- نوع N واضحة مع تنقل مرتفع نسبيا.
التطبيقات:

ZRS2 مادة واعدة للإلكترونيات الضوئية بسبب تنقل الناقل الأكبر في درجة حرارة الغرفة وكثافة حالية أعلى من MOS2، والتي من المرغوب فيها لأجهزة الطاقة المنخفضة. مع Bandgap غير مباشر حول 1.7 EV و Bandgap Direct Bandgap حول 2.0 EV ل Monolayer، يجد ZRS2 تطبيقات في الحرارية، والخلايا الشمسية شوتكي، وضوح الضوئية، والإنتاج الحفاز الإنتاج الحفاز.
ZRS2 2D Nanomaterials لديها تنقل إلكترون عالي، أي 1200 CM2 / VS، وهو أكثر ثام أكبر ثلاث مرات من أن MOS2 المستخدمة على نطاق واسع (340 CM2 / VS). تحتوي أجهزة FET على ZRS2 على حساسية إلكترونية أعلى وخصائص أشباه الموصلات الممتازة. أظهرت الحسابات أن الترانزستورات المستندات الفطيرة المستندة إلى ZRS2 (TFETS) يمكن أن تحتوي على كثافات حالية من الورقة تصل إلى 800 ميكرون / ميكرون (100 مرة من MOS2)، مما يمنح صعود إمكانات تطبيق كبيرة في أجهزة الطاقة المنخفضة.

استعلام

إيزو الاخرق الهدف، 99.9٪

اسم المنتج: أهداف إنديوم الزنك أكسيد (إيزو)
الصيغة: إيزو (IN2O3 / ZNO، 90/10 WT٪)
النقاء: 99.9٪
الشكل: أهداف المستطيل، حسب الطلب
الحجم: 249.6 * 125 * 6mm
تضم هدف IZO السيراميك (99.99٪ في النقاء والكثافة) 90 نقطة أساس.٪ من LN2O3 و 10 WT.٪ من ZNO. يستخدم نظام Spupertron الحالي (DC) المباشر لترسب الفيلم. بدون / مع تقنية الترسبات التي ساعدها أيون (IAD)، والخصائص الكهربائية والبصرية والهيكلية لهذه الأفلام التي أعدتها صلاحيات DC المختلفة (مثل 50 W و 80 W و 100 W) هي حالة ترسب IZO الأمثل التي هي وضعت لتطبيقات الجهاز العضوي المرن للضوء (OLED).

استعلام

مسحوق كربيد الحفنيوم

مادة مسحوق كربنيوم كربنيوم، صيغة جزيئية HFC، نظام كريستال مكعب من نوع الصوديوم، مسحوق رمادي أسود، نقطة انصهار 3890 ℃، الكثافة النظرية 12.7 جم / سم 3، الموصلية الحرارية 6.28 【W (M · K) -1】 (20 ℃)، مقاومة الحجم 1.95 * 10-4ω · سم (2900 ℃)، معامل التوسع الحراري 6.73 * 10-6 / ℃، مقاومة 40 ~ 50 / μω · سم، مواد مرنة 35.9 * 103MPA، قوة الضغط 1380MPA. مناسبة جدا لفوفات الصواريخ، والتي يمكن استخدامها كخليكات الأنف لصواريخ المساحة إعادة الدخول. المستخدمة في السيراميك وغيرها من الصناعات.

استعلام

حقول البحث والتطوير

chalcogenide مواد جديدة
مسحوق نانو مواد جديدة
طلاء فيلم مواد جديدة

البحث و التنمية

TI3SIC2 هدف تلبد

مسحوق ZRS2، 99.9٪، -100mesh

إيزو الاخرق الهدف، 99.9٪

مسحوق كربيد الحفنيوم

مواد طلاء فيلم رقيقة توجيه سريع

مواد مسحوق غير عضوي توجيه سريع

معلومة

الوكلاء العالميين