ما هو جاليوم آرسنيد؟

مركب الزرنيخ(GAAS) هو مركب مبني من العناصر الغاليوم والزرنيخ. غالبا ما يشار إليها باسم مركب III-V لأن الغاليوم والزرنيخ في المجموعة الثالثة ومجموعة الخامس من الجدول الدوري، على التوالي.

استخدام Gallium Arsenide ليس تقنية جديدة. في الواقع، تم تمويل DARPA البحث في التكنولوجيا منذ السبعينيات. في حين أن التكنولوجيا القائم على السيليكون كانت \"مادة العمود الفقري ثورة الإلكترونيات الدقيقة، تعمل دائرة GAAS على الترددات العالية وقوى تضخيم الإشارة التي جعلت عملية عالمية متصلة بالهواتف المحمولة بحجم النخيل. \"

أدى جاليوم آرسنيد إلى تصغير استقبال GPS في الثمانينيات. وقد جعل هذا الذخائر الموجهة بالليزر الدقيقة التي دخلت الترسانات الأمريكية خلال تلك الفترة الزمنية الممكنة.

مقارنة GAAS، SI، SIC، و GAN Bandgaps

من خلال تنقل الإلكترون العالي، يمكن لأجهزة أشباه الموصلات التي بنيت من GAAS تعمل على ترددات في مئات الجيش الاجلالي.

في حين لا تعتبر حقا مادة \"Bandgap \" Bandgap \"، فإن GAAS لديها تراجع أعلى بكثير من السيليكون. من الناحية الخطيرة، هذا يجعل GAA GAIS مقاومة للإشعاع وبالتالي خيار رائع لتطبيقات الدفاع والفضاء. نقطة بيع أخرى هي أن أجهزة GAAS أكثر مقاومة للحرارة وإزالة EMI أقل.

تتميز GAAS بانخفاض مباشر بدلا من Bandgap غير المباشر للسيليكون. لهذا السبب، يمكن أن تنبعث GAAS الضوء بشكل أكثر فعالية مما يمكن أن مصنوعة من السيليكون. هذا يعطي GAAS LED ميزة واضحة على أولئك الذين شيدوا من السيليكون.

الميزة الرئيسية للسيليكون هي أنه في العالم الحقيقي لصناعة الكتلة، فإن السيليكون أسهل بكثير للعمل معه. السيليكون لديه \"أكسيد أصلي، \" ثاني أكسيد السيليكون (sio2). هذا العازل الجاهز هو أحد الأصول التي لا تقدر بثمن في تصنيع أجهزة السيليكون. GAAS ليس لها تناظري.

هل جاليوم ترسسينيد خيار أفضل من السيليكون؟

لقد ناقشنا بعض العموميات والخصائص العامة، لكن المصممين يجب أن يحللوا بعناية الاحتياجات الخاصة للتصاميم المحددة وعدم اتخاذ خيارهم المادي بناء على مفاهيم مسبقة. في بعض الأحيان، لن تكون الإجابة ما كان متوقعا في البداية.

في مقال مكتوب بواسطة Theresa Corrigan للجهاز التناظرية، يتناقض من أجهزة CMOS CMOS N-Channel مع أجهزة GAAS عندما تكون بمثابة مفاتيح إلكترونية عريضة (900 ميغاهرتز أعلى).

مزايا غاليوم آرسنيد

منخفضة على المقاومة

انخفاض خارج السعة

الخطي العالي على ترددات عالية

مزايا CMOS

فقدان 3DB أو أقل في 4 جيجا هرتز

انخفاض استهلاك الطاقة

لا شرط للحصول على مكثفات DC

عزل عال بين المنافذ