ANNOUCIMENT: مرحبا بكم في زيارة موقعنا الإلكتروني، أي استفسار، يرجى التحقق من الاتصال بنا. أعمال الدفع ذات الصلة، يرجى تأكيد مع بائعنا، أتمنى لك رحلة زيارة لطيفة.
العربية  |
25617-97-4.
غان
310700
99.99٪ -99.9999٪
1 بوصة دمية × 0.25 بوصة th.etc
247-129-0
صفة مميزة
نيتريد غاليوم (GAN) هي أشباه الموصلات من Bandgap Direct Bandgap Direct Binary III / V عادة في الثنائيات التي تنبعث منها الضوء منذ التسعينيات. المركب هو مادة صلبة للغاية لديها هيكل بلوري Wurtzite. توفر فجوة الفرقة الواسعة 3.4 EV الخاصة بها [توضيح مطلوب] خصائص للتطبيقات في الإلكترونيات الضوئية، [8] [9] أجهزة عالية الطاقة والعالية التردد.
الصيغة الكيميائية: غان
الكتلة المولية: 83.730 جم / مول
المظهر: مسحوق أصفر
الكثافة: 6.1 جم / سم3
نقطة الانصهار:> 1600 درجة مئوية
الذوبان في الماء: غير قابل للذوبان
فجوة الفرقة: 3.4 EV (300 K، مباشرة)
التنقل الإلكتروني: 1500 سم2/ (الخامس · ق) (300 ك)
الموصلية الحرارية: 1.3 واط / (CM · K) (300 ك)
مؤشر الانكسار (ND): 2.429
هيكل الكريستال: Wurtzite
تطبيق
حساسية الإشعاع المؤين منخفضة (مثل Niterides المجموعة الثالثة الأخرى)، مما يجعلها مادة مناسبة لمصفوفات الخلية الشمسية للأقمار الصناعية. يمكن أن تستفيد التطبيقات العسكرية والفضائية أيضا حيث أظهرت الأجهزة الاستقرار في بيئات الإشعاع.
نظرا لأن Transistors Gan يمكن أن تعمل في درجات حرارة أعلى بكثير والعمل في الفولتية العالية بكثير من ترانزستورات جاليوم آرسسينيد (GAAS)، فإنها تجعل مكبرات صوت مثالية للطاقة في ترددات الميكروويف. بالإضافة إلى ذلك، تقدم Gan خصائص واعدة لأجهزة THZ.
صفة مميزة
نيتريد غاليوم (GAN) هي أشباه الموصلات من Bandgap Direct Bandgap Direct Binary III / V عادة في الثنائيات التي تنبعث منها الضوء منذ التسعينيات. المركب هو مادة صلبة للغاية لديها هيكل بلوري Wurtzite. توفر فجوة الفرقة الواسعة 3.4 EV الخاصة بها [توضيح مطلوب] خصائص للتطبيقات في الإلكترونيات الضوئية، [8] [9] أجهزة عالية الطاقة والعالية التردد.
الصيغة الكيميائية: غان
الكتلة المولية: 83.730 جم / مول
المظهر: مسحوق أصفر
الكثافة: 6.1 جم / سم3
نقطة الانصهار:> 1600 درجة مئوية
الذوبان في الماء: غير قابل للذوبان
فجوة الفرقة: 3.4 EV (300 K، مباشرة)
التنقل الإلكتروني: 1500 سم2/ (الخامس · ق) (300 ك)
الموصلية الحرارية: 1.3 واط / (CM · K) (300 ك)
مؤشر الانكسار (ND): 2.429
هيكل الكريستال: Wurtzite
تطبيق
حساسية الإشعاع المؤين منخفضة (مثل Niterides المجموعة الثالثة الأخرى)، مما يجعلها مادة مناسبة لمصفوفات الخلية الشمسية للأقمار الصناعية. يمكن أن تستفيد التطبيقات العسكرية والفضائية أيضا حيث أظهرت الأجهزة الاستقرار في بيئات الإشعاع.
نظرا لأن Transistors Gan يمكن أن تعمل في درجات حرارة أعلى بكثير والعمل في الفولتية العالية بكثير من ترانزستورات جاليوم آرسسينيد (GAAS)، فإنها تجعل مكبرات صوت مثالية للطاقة في ترددات الميكروويف. بالإضافة إلى ذلك، تقدم Gan خصائص واعدة لأجهزة THZ.
