أهداف الاخرق عالية النقاء رقائق أشباه الموصلات

هدف الاخرقهو العامل الأكثر أهمية لتحديد عائد أشباه الموصلات. لذلك تطبق على أشباه الموصلات والدرجة الدقيقة المطلوبة، هي أعلى نقاء، درجة نقاء المواد المستهدفة والدقة سوف تؤثر بشكل مباشر على أداء أشباه الموصلات، فإن اختلاف المواد المستهدفة المتفجرة هي أكثر العواقب المباشرة تسبب في ماس كهربائى أشباه الموصلات، لذلك عندما نتحدث عن المواد المستهدفة من أشباه الموصلات، غالبا ما تتحدث عن المواد المستهدفة عالية النقاء. يمكن تقسيم هذه الأهداف إلى هدف الألومنيوم، هدف التيتانيوم، هدف النحاس، هدف التنتالوم، هدف التنغستن التيتانيوم وهلم جرا.

يمكن أن تلبي حجم المستهدف والشكل المستهدف للاختلاق المستهدفة المتفوقة من متطلبات معظم أدوات الترسب الشعبية: هدف القرص، هدف العمود، هدف رقاقة صعد، هدف اللوحة (ضياء <650mm، سمك> 1 مم)، هدف شريحة، صعدت هدف مستطيل (طول <1500 مم، العرض <300 مم، سمك> 1 مم) الهدف الأنبوبي / الهدف الروتاري الاخرق (القطر الخارجي <300mm، سمك> 2MM)

هدف الاخرق المعادن عالية النقاء

النقاء 99.9٪ (3N)، 99.95٪ (3N5)، 99.99٪ (4N)، 99.999٪ (5N)، 99.9995٪ (5N5)، 99.9999٪ (6N)

مبدأ هدف متفطراء عالية النقاء

هدف Sputtering هو العملية الرئيسية لمعالجة مواد رقاقة السيليكون، والتي تقوم بشكل أساسي بشيء واحد، هي ارتداء طبقة من أشباه الموصلات \"الملابس \"، طبقة من الفيلم. ولكن بدلا من الحماية، يجري الفيلم الكهرباء. لأن رقاقة السيليكون نفسها لا تقوم بالكهرباء، ويحتاج الرقاقة إلى إجراء الكهرباء لمعالجة المعلومات، وبالتالي هناك حاجة إلى الوسيلة المعدنية، ومصدر الوسيلة المعدنية هي هدف الاخرق. إيوناع أيون، من خلال سرعة عالية ل EINs isions، ثم تلاشى الهدف كمستلم لهذه الأيونات، بعد تأثير هذه الأيونات، طاقتها الخاصة مرتفعة للغاية، سطح البلازما المعدني المنبعث إلى رقاقة السيليكون، تشكيل طبقة من الطلاء.